单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicrochip TechnologyTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-FemtoFET™OptiMOS™U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V100 V350 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
135mA（Tj）500mA（Ta）4.2A（Ta）150A（Ta）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V2.8V，8V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.79 毫欧 @ 75A，10V1.5 毫欧 @ 150A，10V110 毫欧 @ 4.5A，10V1190 毫欧 @ 100mA，8V35 欧姆 @ 150mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.35V @ 2.5µA3V @ 1mA3V @ 250µA3.8V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.281 nC @ 10 V17.2 nC @ 10 V85 nC @ 10 V211 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10.5 pF @ 10 V120 pF @ 25 V969 pF @ 30 V6650 pF @ 10 V16000 pF @ 50 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）960mW（Ta），170W（Tc）1.3W（Ta）1.97W（Ta）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
供应商器件封装
3-PICOSTAR8-SOP Advance（5x5）PG-HSOF-8-1TO-243AA（SOT-89）U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳
3-XFDFN6-UDFN 裸露焊盘8-PowerSFN8-PowerVDFNTO-243AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
CSDxxxxxF3x
CSD15380F3
MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Texas Instruments
37,879
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52674
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
500mA（Ta）
2.8V，8V
1190 毫欧 @ 100mA，8V
1.35V @ 2.5µA
0.281 nC @ 10 V
10V
10.5 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
C04-029 MB
DN3135N8-G
MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Microchip Technology
11,603
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.00798
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
350 V
135mA（Tj）
0V
35 欧姆 @ 150mA，0V
-
-
±20V
120 pF @ 25 V
耗尽模式
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
14,706
现货
1 : ¥20.44000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.33865
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
150A（Ta）
6V，10V
0.79 毫欧 @ 75A，10V
3V @ 1mA
85 nC @ 10 V
±20V
6650 pF @ 10 V
-
960mW（Ta），170W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
x-xSOF-8-1
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
22,351
现货
1 : ¥49.92000
剪切带（CT）
2,000 : ¥26.53364
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 250µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
U-DFN2020-6 Type F
DMP6110SFDF-7
MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
80,601
现货
1,281,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.24606
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.2A（Ta）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
17.2 nC @ 10 V
±20V
969 pF @ 30 V
-
1.97W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN2020-6（F 类）
6-UDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。