单 FET，MOSFET

结果 : 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）1A（Ta）3.8A（Ta）4.5A（Ta）14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 3.8A，10V110 毫欧 @ 12A，10V110 毫欧 @ 4.5A，10V400 毫欧 @ 600mA，4.5V1.5 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 100µA900mV @ 250µA2.1V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.3 nC @ 10 V11 nC @ 10 V17.1 nC @ 10 V19.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
41 pF @ 3 V56 pF @ 16 V563 pF @ 25 V984.7 pF @ 30 V1030 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）500mW（Ta）1.08W1.5W（Ta）1.7W（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOSOT-23-3TO-252（DPAK）X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-XFDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN1006-3
DMN2450UFB4-7R
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Diodes Incorporated
1,512
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40896
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
900mV @ 250µA
1.3 nC @ 10 V
±12V
56 pF @ 16 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
SOT-23-3
DMP3099LQ-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R
Diodes Incorporated
1,438
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53594
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
X2-DFN1006-3
DMN2005LP4K-7
MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Diodes Incorporated
27,843
现货
903,000
工厂
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60306
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
900mV @ 100µA
-
±10V
41 pF @ 3 V
-
400mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
43,189
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.49527
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.5A（Ta）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
19.4 nC @ 10 V
±20V
1030 pF @ 30 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-252 D-Pak Top
DMP6180SK3Q-13
MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252
Diodes Incorporated
32,344
现货
2,942,500
工厂
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.95709
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
14A（Tc）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 12A，10V
2.7V @ 250µA
17.1 nC @ 10 V
±20V
984.7 pF @ 30 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。