单 FET,MOSFET

结果 : 5
制造商
Littelfuse Inc.Microchip Technology
系列
CoolMOS™HiPerFET™, Ultra X2Ultra X2
漏源电压(Vdss)
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A(Tc)102A(Tc)106A(Tc)120A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
24 毫欧 @ 60A,10V30 毫欧 @ 50A,10V30 毫欧 @ 51A,10V35 毫欧 @ 53A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 3.4mA5V @ 250µA5.5V @ 4mA5.5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
152 nC @ 10 V180 nC @ 10 V225 nC @ 10 V308 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
8390 pF @ 25 V10900 pF @ 25 V11300 pF @ 25 V15500 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
833W(Tc)1040W(Tc)1250W(Tc)
供应商器件封装
PLUS247™-3TO-264TO-264(IXTK)TO-264(L)
封装/外壳
TO-247-3 变式TO-264-3,TO-264AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果

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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IXTK102N65X2
IXTK102N65X2
MOSFET N-CH 650V 102A TO264
Littelfuse Inc.
363
现货
1 : ¥162.31000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
102A(Tc)
10V
30 毫欧 @ 51A,10V
5V @ 250µA
152 nC @ 10 V
±30V
10900 pF @ 25 V
-
1040W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-264(IXTK)
TO-264-3,TO-264AA
TO-247 Plus X
IXFX100N65X2
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
702
现货
990
工厂
1 : ¥152.95000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
100A(Tc)
10V
30 毫欧 @ 50A,10V
5.5V @ 4mA
180 nC @ 10 V
±30V
11300 pF @ 25 V
-
1040W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
TO-264
IXFK100N65X2
MOSFET N-CH 650V 100A TO264
Littelfuse Inc.
298
现货
1 : ¥155.58000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
100A(Tc)
10V
30 毫欧 @ 50A,10V
5.5V @ 4mA
180 nC @ 10 V
±30V
11300 pF @ 25 V
-
1040W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-264
TO-264-3,TO-264AA
TO-247 Plus X
IXFX120N65X2
MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
150
现货
1 : ¥196.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
120A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 60A,10V
5.5V @ 8mA
225 nC @ 10 V
±30V
15500 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
APT106N60LC6
APT106N60LC6
MOSFET N-CH 600V 106A TO264
Microchip Technology
56
现货
1 : ¥172.00000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
106A(Tc)
10V
35 毫欧 @ 53A,10V
3.5V @ 3.4mA
308 nC @ 10 V
±20V
8390 pF @ 25 V
-
833W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-264(L)
TO-264-3,TO-264AA
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。