单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiRenesas Electronics CorporationVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.3A（Ta）4.2A4.4A（Tc）36A（Tc）56A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14.7 毫欧 @ 56A，10V17 毫欧 @ 18A，10V60 毫欧 @ 3.3A，4.5V65 毫欧 @ 4.2A，10V77 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.3V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 61µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 4.5 V21 nC @ 10 V49 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
595 pF @ 20 V850 pF @ 10 V954 pF @ 15 V2800 pF @ 10 V3220 pF @ 60 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）1.2W（Ta），56W（Tc）1.25W（Ta），2.5W（Tc）1.3W107W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3SC-88/SC70-6/SOT-363SOT-23SOT-23-3（TO-236）TO-252（MP-3ZK）
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2319CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Vishay Siliconix
41,686
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.52878
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.4A（Tc）
4.5V，10V
77 毫欧 @ 3.1A，10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
595 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23
SI3401-TP
P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Micro Commercial Co
1,412
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52306
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.2A
2.5V，10V
65 毫欧 @ 4.2A，10V
1.3V @ 250µA
-
±12V
954 pF @ 15 V
-
1.3W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-363
NTJS4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
onsemi
30,576
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86553
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.3A（Ta）
1.8V，4.5V
60 毫欧 @ 3.3A，4.5V
1.2V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
850 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
TO-220-3
IPP147N12N3GXKSA1
MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
Infineon Technologies
17,595
现货
1 : ¥14.20000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
56A（Ta）
10V
14.7 毫欧 @ 56A，10V
4V @ 61µA
49 nC @ 10 V
±20V
3220 pF @ 60 V
-
107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
10,833
现货
1 : ¥14.12000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.35203
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
36A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 18A，10V
2.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta），56W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。