单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
20 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150mA（Ta）24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
95 毫欧 @ 14A，10V2 欧姆 @ 150mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA5V @ 250µA
Vgs（最大值）
±8V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12 pF @ 10 V890 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
100mW（Ta）140W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
TO-252AA (DPAK)VML0806
封装/外壳
3-SMD，无引线TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
VML0806
RV1C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Rohm Semiconductor
757,360
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.34654
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
150mA（Ta）
1.2V，4.5V
2 欧姆 @ 150mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
12 pF @ 10 V
-
100mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VML0806
3-SMD，无引线
TO252-3
IRFR24N15DTRPBF
MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
Infineon Technologies
1,229
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.76054
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
24A（Tc）
10V
95 毫欧 @ 14A，10V
5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±30V
890 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。