单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
onsemiSTMicroelectronics
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIIPowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V60 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
680mA（Ta）1.7A（Ta）4.4A（Ta），22A（Tc）180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 60A，10V2.5 毫欧 @ 60A，10V53 毫欧 @ 4.4A，10V155 毫欧 @ 1A，10V450 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA3.8V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.3 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 4.5 V63 nC @ 10 V180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V182 pF @ 25 V3905 pF @ 75 V12800 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）900mW（Ta）2.5W（Ta），104W（Tc）315W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）H2PAK-2SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
onsemi
119,772
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70799
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.7A（Ta）
4.5V，10V
155 毫欧 @ 1A，10V
2.5V @ 250µA
2.8 nC @ 4.5 V
±20V
182 pF @ 25 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
onsemi
123,645
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59365
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
680mA（Ta）
2.7V，4.5V
450 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.5V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-PQFN
FDMS86263P
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
onsemi
5,687
现货
1 : ¥24.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.74694
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
4.4A（Ta），22A（Tc）
6V，10V
53 毫欧 @ 4.4A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±25V
3905 pF @ 75 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
H2PAK
STH310N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
STMicroelectronics
7,132
现货
1 : ¥42.53000
剪切带（CT）
1,000 : ¥22.00187
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
10V
2.5 毫欧 @ 60A，10V
3.8V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
12800 pF @ 25 V
-
315W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
H2PAK
STH315N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
STMicroelectronics
845
现货
1 : ¥45.32000
剪切带（CT）
1,000 : ¥23.42980
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
10V
2.3 毫欧 @ 60A，10V
4.5V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
12800 pF @ 25 V
-
315W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。