单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.1A（Ta）7.2A（Ta）17.6A（Ta），71.9A（Tc）19A（Ta），40A（Tc）30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.83 毫欧 @ 10A，10V10 毫欧 @ 18A，10V11.2毫欧 @ 10A，10V25 毫欧 @ 7.2A，4.5V42 毫欧 @ 5.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（最小）2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V23.1 nC @ 4.5 V24 nC @ 10 V105 nC @ 10 V150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
680 pF @ 15 V2480 pF @ 15 V4850 pF @ 40 V5875 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）2W（Ta）3.8W（Ta），17W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SO8-SOICPowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SO-8L
SQJ463EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,117
现货
1 : ¥25.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥12.35408
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
30A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 18A，10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
5875 pF @ 20 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-SOIC
SI9435BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Vishay Siliconix
10,567
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.91326
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.1A（Ta）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 5.7A，10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8 SO
ZXMN3B04N8TA
MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Diodes Incorporated
2,697
现货
1,500
工厂
1 : ¥9.19000
剪切带（CT）
500 : ¥4.96216
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7.2A（Ta）
2.5V，4.5V
25 毫欧 @ 7.2A，4.5V
700mV @ 250µA（最小）
23.1 nC @ 4.5 V
±12V
2480 pF @ 15 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PowerPAK SO-8
SIRA18BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
Vishay Siliconix
15,074
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.30496
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
19A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
6.83 毫欧 @ 10A，10V
2.4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
+20V，-16V
680 pF @ 15 V
-
3.8W（Ta），17W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK_SO-8_Single
SIR681DP-T1-RE3
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥20.36000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.16302
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
17.6A（Ta），71.9A（Tc）
-
11.2毫欧 @ 10A，10V
2.6V @ 250µA
105 nC @ 10 V
±20V
4850 pF @ 40 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。