单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-QFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V200 V900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
670mA（Tc）1.8A（Tc）3.7A（Tc）5.4A（Tc）19.7A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 15A，10V10.1 毫欧 @ 30A，10V500 毫欧 @ 1.1A，10V1.4 欧姆 @ 1.85A，10V2.3 欧姆 @ 2.7A，10V2.7 欧姆 @ 335mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.3V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8 nC @ 10 V12 nC @ 10 V13 nC @ 10 V40 nC @ 10 V69 nC @ 10 V190 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
250 pF @ 25 V270 pF @ 25 V430 pF @ 25 V1550 pF @ 25 V2410 pF @ 50 V7000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta），3.1W（Tc）2.5W（Ta），45W（Tc）2.5W（Tc）3.13W（Ta），158W（Tc）3.5W（Ta），7.8W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICSOT-223SOT-223-4TO-252AATO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
IRFL9014TRPBF
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Vishay Siliconix
68,002
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.05145
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.8A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 1.1A，10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2W（Ta），3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TO-252AA
FQD5P20TM
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
onsemi
2,470
现货
5,000
工厂
1 : ¥7.64000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.88900
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
3.7A（Tc）
10V
1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
430 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），45W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263
FQB5N90TM
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
onsemi
1,201
现货
62,400
工厂
1 : ¥24.05000
剪切带（CT）
800 : ¥14.53135
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
900 V
5.4A（Tc）
10V
2.3 欧姆 @ 2.7A，10V
5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
1550 pF @ 25 V
-
3.13W（Ta），158W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT-223-4
FQT3P20TF
MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
onsemi
211
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.59479
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
670mA（Tc）
10V
2.7 欧姆 @ 335mA，10V
5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±30V
250 pF @ 25 V
-
2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
8-SOIC
SI4090DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.86694
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
19.7A（Tc）
6V，10V
10 毫欧 @ 15A，10V
3.3V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
2410 pF @ 50 V
-
3.5W（Ta），7.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM70101EL-GE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥33.41000
剪切带（CT）
800 : ¥20.18586
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
4.5V，10V
10.1 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。