单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-U-MOSIX-HU-MOSVIIU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta）7.7A（Ta）9A（Ta）15A（Ta）26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.9 毫欧 @ 4A，10V19.5 毫欧 @ 4A，10V25 毫欧 @ 5A，10V28 毫欧 @ 5A，10V45 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 100µA2.5V @ 100µA3V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.4 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 4.5 V43 nC @ 10 V53.1 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
436 pF @ 15 V620 pF @ 15 V1130 pF @ 15 V1735 pF @ 50 V2569 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）1.25W（Ta）5.2W（Ta），64W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TA）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-UDFNB（2x2）POWERDI3333-8PowerPAK® SO-8SOT-23F
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8SOT-23-3 扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7430DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,220
现货
1 : ¥23.07000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.23099
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
26A（Tc）
8V，10V
45 毫欧 @ 5A，10V
4.5V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
1735 pF @ 50 V
-
5.2W（Ta），64W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
54,707
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79512
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 100µA
3.4 nC @ 4.5 V
±20V
436 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
43,934
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.33125
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta）
4.5V，10V
8.9 毫欧 @ 4A，10V
2.1V @ 100µA
7.5 nC @ 4.5 V
±20V
1130 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TA）
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
PowerDI3333-8
DMP6023LFG-7
MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
3,739
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.76870
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
376
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.64510
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9A（Ta）
4.5V，10V
19.5 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 100µA
4.8 nC @ 4.5 V
±20V
620 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。