单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A（Ta）3A（Ta）3.9A（Tc）4.1A（Tc）8A（Tc）8.9A（Tc）33.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，2.5V2.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 8A，10V31 毫欧 @ 7.9A，10V57 毫欧 @ 2.3A，2.5V94 毫欧 @ 10A，10V120 毫欧 @ 2.8A，4.5V295 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
750mV @ 11µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.7 nC @ 2.5 V5.5 nC @ 4.5 V8 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V13 nC @ 10 V42 nC @ 10 V68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
420 pF @ 20 V425 pF @ 10 V476 pF @ 10 V529 pF @ 10 V555 pF @ 10 V1190 pF @ 50 V3800 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）1.5W（Ta）3W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT23PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
107,522
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43742
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SI7115DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
6,328
现货
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.38891
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
8.9A（Tc）
6V，10V
295 毫欧 @ 4A，10V
4V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 50 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SOT-23-3
BSS806NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
526,760
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54182
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.3A（Ta）
1.8V，2.5V
57 毫欧 @ 2.3A，2.5V
750mV @ 11µA
1.7 nC @ 2.5 V
±8V
529 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak® SO-8
SQJ211ELP-T1_GE3
MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,130
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.20422
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
33.6A（Tc）
-
30 毫欧 @ 8A，10V
2.5V @ 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
SQ2301ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
5,265
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.42120
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.9A（Tc）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1.5V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±8V
425 pF @ 10 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2318AES-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Vishay Siliconix
21,493
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.71081
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8A（Tc）
4.5V，10V
31 毫欧 @ 7.9A，10V
2.5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
555 pF @ 10 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2389ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
567
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.05833
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.1A（Tc）
4.5V，10V
94 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 20 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。