单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiTaiwan Semiconductor CorporationTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™OptiMOS™ 5TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Ta），54A（Tc）21A（Ta），60A（Tc）35A40A（Tc）50A（Tc）398.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，8V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.81 毫欧 @ 50A，10V4 毫欧 @ 20A，10V4.5 毫欧 @ 20A，8V5.2 毫欧 @ 15A，10V11 毫欧 @ 12A，10V25 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 36µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.6 nC @ 4.5 V9.2 nC @ 4.5 V23 nC @ 10 V26.6 nC @ 10 V135 nC @ 10 V165 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1257 pF @ 20 V1269 pF @ 20 V1350 pF @ 12.5 V3100 pF @ 30 V5125 pF @ 15 V12300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta）3.1W（Ta），68W（Tc）5W5W（Ta），48W（Tc）38W69W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFNW（8.3x8.4）8-PDFN（5.2x5.75）8-VSON-CLIP（3.3x3.3）DFN3333PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerLDFN8-PowerTDFN8-VDFN 裸露焊盘PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7149ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
35,003
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.71766
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
5.2 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±25V
5125 pF @ 15 V
-
5W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TSDSON-8
BSZ040N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
73,637
现货
1 : ¥13.22000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.73136
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 36µA
6.6 nC @ 4.5 V
±20V
3100 pF @ 30 V
-
69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
MCG30N03A-TP
MCG35P04-TP
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Micro Commercial Co
10,555
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.18990
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
35A
4.5V，10V
25 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
26.6 nC @ 10 V
±20V
1257 pF @ 20 V
-
38W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
CSD1632x Series 8-SON
CSD16340Q3
MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Texas Instruments
16,740
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.54046
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
21A（Ta），60A（Tc）
2.5V，8V
4.5 毫欧 @ 20A，8V
1.1V @ 250µA
9.2 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
1350 pF @ 12.5 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
25,680
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.19540
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Ta），54A（Tc）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1269 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta），68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-PDFN（5.2x5.75）
8-PowerLDFN
8-TDFN
NTMTS001N06CLTXG
MOSFET N-CH 60V 398.2A
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥40.39000
剪切带（CT）
3,000 : ¥19.64743
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
398.2A（Tc）
4.5V，10V
0.81 毫欧 @ 50A，10V
2.2V @ 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
12300 pF @ 25 V
-
5W
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-DFNW（8.3x8.4）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。