单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A(Ta)3.3A(Ta)14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,10V1.8V,2.5V4V,5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
72 毫欧 @ 4.2A,10V100 毫欧 @ 8.4A,5V160 毫欧 @ 1.4A,2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
750mV @ 3.7µA1.3V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6 nC @ 2.5 V15.9 nC @ 10 V18 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
180 pF @ 10 V708 pF @ 15 V870 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)700mW(Ta)42W(Tc)
供应商器件封装
DPAKPG-SOT323SOT-23-3
封装/外壳
SC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS816NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Infineon Technologies
123,396
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54231
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.4A(Ta)
1.8V,2.5V
160 毫欧 @ 1.4A,2.5V
750mV @ 3.7µA
0.6 nC @ 2.5 V
±8V
180 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
DMP3068L-7
MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
Diodes Incorporated
159,121
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60561
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.3A(Ta)
1.8V,10V
72 毫欧 @ 4.2A,10V
1.3V @ 250µA
15.9 nC @ 10 V
±12V
708 pF @ 15 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
D-PAK (TO-252AA)
IRLR024PBF
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Vishay Siliconix
11,176
现货
1 : ¥13.22000
管件
-
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
14A(Tc)
4V,5V
100 毫欧 @ 8.4A,5V
2V @ 250µA
18 nC @ 5 V
±10V
870 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 3

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。