单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V50 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）3.8A（Ta）8.4A（Ta），31A（Tc）16A（Tc）30A（Tc）37A（Ta），100A（Tc）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.1 毫欧 @ 30A，10V5.2 毫欧 @ 15A，10V9 毫欧 @ 16.4A，10V19.5 毫欧 @ 10A，10V23 毫欧 @ 7A，10V65 毫欧 @ 3.8A，10V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3V @ 42µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.2 nC @ 4.5 V13 nC @ 10 V28 nC @ 10 V39 nC @ 10 V72 nC @ 10 V135 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V563 pF @ 25 V780 pF @ 40 V850 pF @ 50 V1855 pF @ 25 V4700 pF @ 15 V5125 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）1.08W（Ta）2.5W（Ta），96W（Tc）3.6W（Ta），49W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）5W（Ta），48W（Tc）62W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）PG-TDSON-8-1PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SOT-23-3SST3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN，5 引线PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
显示
/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
290,107
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49040
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SI7149ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
29,807
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.71766
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
5.2 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±25V
5125 pF @ 15 V
-
5W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PG-TDSON-8-1
BSC011N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Infineon Technologies
36,011
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.35690
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
37A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
1.1 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
RUC002N05T116
RUC002N05T116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
561,115
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26523
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
1.2V，4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SQS484EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
2,526
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28688
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
16A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 16.4A，10V
2.5V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
1855 pF @ 25 V
-
62W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS021N10MCLT1G
PTNG 100V LL SO8FL
onsemi
991
现货
1,500
工厂
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.01825
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
8.4A（Ta），31A（Tc）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 42µA
13 nC @ 10 V
±20V
850 pF @ 50 V
-
3.6W（Ta），49W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
PowerPAK 1212-8
SIS468DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥10.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.30101
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
30A（Tc）
4.5V，10V
19.5 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±20V
780 pF @ 40 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。