单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Microchip Technologyonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
6 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）13A（Ta），50A（Tc）23A（Ta），107A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 40A，10V9.3 毫欧 @ 25A，10V84 毫欧 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.5 nC @ 10 V35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
6V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
880 pF @ 25 V2100 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
270mW（Ta）3.1W（Ta），46W（Tc）3.3W（Ta），68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）SC-70-6
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3638-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-WDFN
NTTFS5C673NLTAG
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
onsemi
1,420
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.58249
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
13A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
9.3 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 250µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），46W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
SOT-363
MIC94053YC6-TR
MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6
Microchip Technology
3,440
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.13094
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
6 V
2A（Ta）
1.8V，4.5V
84 毫欧 @ 100mA，4.5V
1.2V @ 250µA
-
6V
-
-
270mW（Ta）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
8-WDFN
NTTFS5C453NLTAG
MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
onsemi
619
现货
1 : ¥13.05000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.70386
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
23A（Ta），107A（Tc）
4.5V，10V
3 毫欧 @ 40A，10V
2V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 25 V
-
3.3W（Ta），68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。