单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
-HEXFET®STripFET™ II
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Ta），22A（Tc）60A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V10V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 75A，10V14 毫欧 @ 30A，10V19 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V66 nC @ 4.5 V170 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
950 pF @ 30 V2000 pF @ 25 V6540 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），23.5W（Tc）110W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 175°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220TO-220ABTO-220F
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220F
AOTF2618L
MOSFET N-CH 60V 7A/22A TO220-3F
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
722
现货
1 : ¥8.87000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7A（Ta），22A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），23.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
TO-220-3
STP60NF06L
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
STMicroelectronics
1,309
现货
1 : ¥15.27000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
10V，5V
14 毫欧 @ 30A，10V
1V @ 250µA
66 nC @ 4.5 V
±15V
2000 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-65°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Infineon Technologies
25,530
现货
1 : ¥18.39000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
120A（Tc）
10V
3 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 150µA
170 nC @ 10 V
±20V
6540 pF @ 50 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。