单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesMicro Commercial CoSTMicroelectronics
系列
-AlphaMOSOptiMOS™OptiMOS™-5SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V150 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Tc）3A（Tj）6.5A（Ta），23A（Tc）90A（Tc）170A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.1 毫欧 @ 85A，10V6.2毫欧 @ 45A，10V54 毫欧 @ 5A，10V105 毫欧 @ 3A，10V8.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA2.7V @ 250µA3.7V @ 250µA3.8V @ 110µA3.8V @ 59µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V20 nC @ 10 V36 nC @ 10 V88 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
156 pF @ 25 V247 pF @ 30 V675 pF @ 75 V3275 pF @ 50 V6405 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1.2W3.3W（Tc）6.2W（Ta），75W（Tc）115W（Tc）197W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-HSOF-5-4PG-TDSON-8-34SOT-223SOT-23TO-252（DPAK）
封装/外壳
5-PowerSFN8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
STN1HNK60
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
STMicroelectronics
29,148
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.62190
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
400mA（Tc）
10V
8.5 欧姆 @ 500mA，10V
3.7V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±30V
156 pF @ 25 V
-
3.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT 23
SI2310B-TP
MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Micro Commercial Co
103,030
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53750
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Tj）
4.5V，10V
105 毫欧 @ 3A，10V
1.3V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±16V
247 pF @ 30 V
-
1.2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252-3
AOD2544
MOSFET N-CH 150V 6.5A/23A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
9,612
现货
1 : ¥9.19000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.79168
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
6.5A（Ta），23A（Tc）
4.5V，10V
54 毫欧 @ 5A，10V
2.7V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
675 pF @ 75 V
-
6.2W（Ta），75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TDSON-8-34
IAUC90N10S5N062ATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Infineon Technologies
7,042
现货
1 : ¥17.57000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.62251
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
90A（Tc）
6V，10V
6.2毫欧 @ 45A，10V
3.8V @ 59µA
36 nC @ 10 V
±20V
3275 pF @ 50 V
-
115W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
1,874
现货
1 : ¥25.20000
剪切带（CT）
2,000 : ¥12.26894
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170A（Tj）
6V，10V
3.1 毫欧 @ 85A，10V
3.8V @ 110µA
88 nC @ 10 V
±20V
6405 pF @ 50 V
-
197W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。