单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
CoolMOS™SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
500 V560 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.2A（Tc）21A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 13.1A，10V850 毫欧 @ 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 1mA4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
32 nC @ 10 V95 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
910 pF @ 25 V2400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
110W（Tc）208W（Tc）
供应商器件封装
D2PAKPG-TO263-3-2
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
D²PAK
STB9NK50ZT4
MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
STMicroelectronics
4,045
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
1,000 : ¥5.92833
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
7.2A（Tc）
10V
850 毫欧 @ 3.6A，10V
4.5V @ 100µA
32 nC @ 10 V
±30V
910 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SPB21N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
Infineon Technologies
2,888
现货
1 : ¥36.70000
剪切带（CT）
1,000 : ¥18.95642
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
560 V
21A（Tc）
10V
190 毫欧 @ 13.1A，10V
3.9V @ 1mA
95 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
208W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。