单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesTexas Instruments
系列
FemtoFET™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A（Ta）8A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 20A，10V76 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA3.5V @ 12µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.35 nC @ 6 V25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
235 pF @ 6 V1700 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）2.1W（Ta），63W（Tc）
供应商器件封装
3-PICOSTARPG-TSDSON-8
封装/外壳
3-XFDFN8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
3-Picostar
CSD23382F4
MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Texas Instruments
52,086
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77878
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
3.5A（Ta）
1.8V，4.5V
76 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.1V @ 250µA
1.35 nC @ 6 V
±8V
235 pF @ 6 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
8-Power TDFN
BSZ160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
41,640
现货
1 : ¥12.81000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.04048
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
8A（Ta），40A（Tc）
6V，10V
16 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 12µA
25 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 50 V
-
2.1W（Ta），63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。