单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-FemtoFET™U-MOSIIIU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）330mA（Ta）350mA（Ta）2.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，8V2.5V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
64 毫欧 @ 500mA，8V1.31 欧姆 @ 100mA，4.5V1.5 欧姆 @ 100mA，10V2.8 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V0.9 nC @ 10 V1.2 nC @ 4 V2.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.2 pF @ 25 V40 pF @ 10 V43 pF @ 10 V347 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）350mW（Ta）500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
3-PICOSTARSOT-23-3SSM
封装/外壳
3-XFDFNSC-75，SOT-416TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
416,749
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31827
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
350mA（Ta）
2.5V，10V
2.8 欧姆 @ 250mA，10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
461,815
现货
1 : ¥1.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27694
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
330mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.31 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 1mA
1.2 nC @ 4 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
110,324
现货
1 : ¥1.48000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29446
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
CSDxxxxF4T
CSD17382F4T
MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Texas Instruments
5,472
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
250 : ¥4.39816
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.3A（Ta）
1.8V，8V
64 毫欧 @ 500mA，8V
1.2V @ 250µA
2.7 nC @ 4.5 V
10V
347 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。