单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
100 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Ta）15A（Ta），121A（Tc）24A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.7 毫欧 @ 100A，10V7毫欧 @ 69A，10V78 毫欧 @ 15A，10V220 毫欧 @ 1.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 25µA3.5V @ 275µA4，5V @ 379µA5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 4.5 V38 nC @ 10 V57 nC @ 10 V206 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
290 pF @ 25 V1710 pF @ 50 V4745 pF @ 75 V14800 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）3，7W（Ta），238W（Tc）144W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PG-TO263-3TO-252AA (DPAK)TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Infineon Technologies
34,954
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16191
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.6A（Ta）
4.5V，10V
220 毫欧 @ 1.6A，10V
2.5V @ 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IRFR4620TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Infineon Technologies
10,626
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.68064
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
24A（Tc）
10V
78 毫欧 @ 15A，10V
5V @ 100µA
38 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 50 V
-
144W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB027N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Infineon Technologies
10,044
现货
1 : ¥36.04000
剪切带（CT）
1,000 : ¥23.94800
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
6V，10V
2.7 毫欧 @ 100A，10V
3.5V @ 275µA
206 nC @ 10 V
±20V
14800 pF @ 50 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
NTBGS6D5N15MC
MOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK
onsemi
1,047
现货
1 : ¥36.21000
剪切带（CT）
800 : ¥24.04446
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
15A（Ta），121A（Tc）
8V，10V
7毫欧 @ 69A，10V
4，5V @ 379µA
57 nC @ 10 V
±20V
4745 pF @ 75 V
-
3，7W（Ta），238W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。