单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）200mA（Ta）3A（Ta）50A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0.9V，4.5V1.2V，2.5V1.2V，4.5V1.5V，4.5V2.5V，4.5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13.8 毫欧 @ 25A，10V39 毫欧 @ 3A，4.5V120 毫欧 @ 2.8A，4.5V1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 1mA1V @ 100µA1V @ 1mA1.2V @ 250µA3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V18 nC @ 4.5 V124 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+10V，-20V±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7.1 pF @ 10 V25 pF @ 10 V26 pF @ 10 V115 pF @ 10 V476 pF @ 10 V1860 pF @ 6 V6290 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）800mW（Ta）1.5W（Ta）90W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAK+EMT3F（SOT-416FL）SOT-23-3TUMT3VMT3
封装/外壳
3-SMD，扁平引线SC-89，SOT-490SOT-723TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,268,451
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19539
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
107,527
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43742
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
VMT3 Pkg
RYM002N05T2CL
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
898,303
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.65299
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
0.9V，4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VMT3
SOT-723
VMT3 Pkg
RZM002P02T2L
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
114,990
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.34508
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，4.5V
1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 100µA
1.4 nC @ 4.5 V
±10V
115 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VMT3
SOT-723
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
724,975
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.34654
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.2V，4.5V
3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VMT3
SOT-723
TUMT3
RZF030P01TL
MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
Rohm Semiconductor
48,297
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.98508
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
3A（Ta）
1.5V，4.5V
39 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
18 nC @ 4.5 V
±10V
1860 pF @ 6 V
-
800mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TUMT3
3-SMD，扁平引线
5,750
现货
1 : ¥21.43000
剪切带（CT）
2,000 : ¥6.54827
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Ta）
6V，10V
13.8 毫欧 @ 25A，10V
3V @ 1mA
124 nC @ 10 V
+10V，-20V
6290 pF @ 10 V
-
90W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。