单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-AlphaSGT™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V40 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）12.5A（Ta）25A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.1 毫欧 @ 20A，10V6.2 毫欧 @ 19.5A，4.5V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 4.5 V30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V1480 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）1.5W（Ta）6.2W（Ta），52W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SOT-323TO-252（DPAK）
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SC-70，SOT-323TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
736,486
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40361
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
PowerPAK 1212-8
SI7106DN-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
51,275
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.10897
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
12.5A（Ta）
2.5V，4.5V
6.2 毫欧 @ 19.5A，4.5V
1.5V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±12V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-252, (D-Pak)
AOD66406
MOSFET N-CH 40V 25A/60A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
38,465
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.55541
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
25A（Ta），60A（Tc）
4.5V，10V
6.1 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 20 V
-
6.2W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。