单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）3.3A（Ta）4.2A（Ta）5.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V2.5V，10V2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
26.5 毫欧 @ 5.8A，10V45 毫欧 @ 4.2A，4.5V72 毫欧 @ 4.2A，10V98 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 5 V14 nC @ 10 V15.9 nC @ 10 V20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
510 pF @ 25 V708 pF @ 15 V740 pF @ 15 V860 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）720mW（Ta）1.25W（Ta）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3068L-7
MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
Diodes Incorporated
159,225
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60561
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.3A（Ta）
1.8V，10V
72 毫欧 @ 4.2A，10V
1.3V @ 250µA
15.9 nC @ 10 V
±12V
708 pF @ 15 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML5203TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
67,973
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02907
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3A（Ta）
4.5V，10V
98 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 25 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
85,289
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20583
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
2.5V，4.5V
45 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
740 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3042L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Diodes Incorporated
229,182
现货
672,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75610
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
2.5V，10V
26.5 毫欧 @ 5.8A，10V
1.4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±12V
860 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。