单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronics
系列
-HEXFET®STripFET™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Ta），32A（Tc）25A（Tc）32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
35 毫欧 @ 12.5A，10V37 毫欧 @ 10A，10V37 毫欧 @ 32A，10V38 毫欧 @ 12.5A，10V44 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
40 nC @ 10 V44 nC @ 10 V52 nC @ 5 V55 nC @ 10 V71 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1450 pF @ 25 V1550 pF @ 25 V1710 pF @ 25 V1960 pF @ 25 V2000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），100W（Tc）100W（Tc）130W（Tc）
供应商器件封装
DPAKTO-252（DPAK）TO-252AA (DPAK)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MFG_DPAK(TO252-3)
STD25NF10T4
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STMicroelectronics
900
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.24272
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Tc）
10V
38 毫欧 @ 12.5A，10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
1550 pF @ 25 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NTD6414ANT4G
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
onsemi
5,561
现货
17,500
工厂
1 : ¥13.71000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.18021
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
32A（Tc）
10V
37 毫欧 @ 32A，10V
4V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD25NF10LT4
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STMicroelectronics
6,113
现货
1 : ¥17.32000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.79915
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Tc）
4.5V，10V
35 毫欧 @ 12.5A，10V
2.5V @ 250µA
52 nC @ 5 V
±16V
1710 pF @ 25 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252, (D-Pak)
AOD482
MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
98,201
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.07868
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5A（Ta），32A（Tc）
4.5V，10V
37 毫欧 @ 10A，10V
2.7V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRFR3411TRPBF
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Infineon Technologies
8,984
现货
1 : ¥12.73000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.25855
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
32A（Tc）
10V
44 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD26NF10
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STMicroelectronics
4,279
现货
1 : ¥13.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.48267
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Tc）
10V
38 毫欧 @ 12.5A，10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
1550 pF @ 25 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。