单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-PowerTrench®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
361mA(Ta)2A(Ta)6A(Ta)20A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.6 毫欧 @ 20A,10V29.8 毫欧 @ 3A,4.5V85 毫欧 @ 3.2A,10V700 毫欧 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA1V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.8 nC @ 4.5 V12.3 nC @ 10 V12.8 nC @ 4.5 V260 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
24 pF @ 10 V606 pF @ 20 V840 pF @ 10 V7540 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
155mW(Ta)800mW(Ta)1W(Ta)2.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
8-SOICSOT-23-3SOT-23FSOT-883(XDFN3)(1x0.6)
封装/外壳
3-XFDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-23-3 扁平引线TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN6075S-7
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Diodes Incorporated
61,516
现货
759,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54956
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2A(Ta)
4.5V,10V
85 毫欧 @ 3.2A,10V
3V @ 250µA
12.3 nC @ 10 V
±20V
606 pF @ 20 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-883
NTNS3164NZT5G
MOSFET N-CH 20V 361MA SOT883
onsemi
56,864
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.80598
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
361mA(Ta)
1.5V,4.5V
700 毫欧 @ 200mA,4.5V
1V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±8V
24 pF @ 10 V
-
155mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-883(XDFN3)(1x0.6)
3-XFDFN
767,490
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.73442
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6A(Ta)
1.5V,4.5V
29.8 毫欧 @ 3A,4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
8-SOIC
FDS6681Z
MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
onsemi
19,374
现货
1 : ¥17.24000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.79035
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20A(Ta)
4.5V,10V
4.6 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±25V
7540 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。