单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®
漏源电压（Vdss）
55 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.2A（Ta），53A（Tc）14A（Tc）19A（Tc）23A（Tc）74A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19.5 毫欧 @ 30A，10V20 毫欧 @ 38A，10V117 毫欧 @ 11A，10V200 毫欧 @ 11A，10V200 毫欧 @ 8.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
58 nC @ 10 V61 nC @ 10 V97 nC @ 10 V115 nC @ 10 V180 nC @ 10 V190 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
760 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V1400 pF @ 25 V3400 pF @ 25 V3500 pF @ 25 V7000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），104.2W（Tc）79W（Tc）140W（Tc）150W（Tc）200W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF9530NPBF
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Infineon Technologies
31,506
现货
1 : ¥7.63000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14A（Tc）
10V
200 毫欧 @ 8.4A，10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
IRF9540NPBF
IRF9540NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Infineon Technologies
2,488
现货
1 : ¥11.41000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
10V
117 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
97 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF9540PBF
MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Vishay Siliconix
3,009
现货
1 : ¥16.99000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
19A（Tc）
10V
200 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF4905PBF
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Infineon Technologies
39,017
现货
1 : ¥17.40000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
74A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 38A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
SUP53P06-20-E3
MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
Vishay Siliconix
3,292
现货
1 : ¥22.99000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
9.2A（Ta），53A（Tc）
4.5V，10V
19.5 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
115 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），104.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
SUP70101EL-GE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥23.40000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
4.5V，10V
-
2.5V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。