单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Littelfuse Inc.Microchip TechnologySTMicroelectronics
系列
-HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Q3 ClassHiPerFET™, TrenchPOWER MOS 8™POWER MOS V®SuperMESH™
漏源电压（Vdss）
100 V600 V900 V1000 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Tc）12A（Tc）14A（Tc）15A（Tc）18A（Tc）24A（Tc）48A（Tc）420A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 60A，10V135 毫欧 @ 500mA，10V420 毫欧 @ 12A，10V490 毫欧 @ 12A，10V700 毫欧 @ 9A，10V760 毫欧 @ 500mA，10V880 毫欧 @ 5.5A，10V900 毫欧 @ 6A，10V900 毫欧 @ 7A，10V980 毫欧 @ 7A，10V1 欧姆 @ 500mA，10V1.4 欧姆 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA4.5V @ 100µA5V @ 1mA5V @ 8mA6.5V @ 1mA6.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
56 nC @ 10 V97 nC @ 10 V120 nC @ 10 V130 nC @ 10 V140 nC @ 10 V145 nC @ 10 V150 nC @ 10 V152 nC @ 10 V225 nC @ 10 V670 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3080 pF @ 25 V3500 pF @ 25 V3660 pF @ 25 V3965 pF @ 25 V4765 pF @ 25 V4845 pF @ 25 V5140 pF @ 25 V7200 pF @ 25 V8860 pF @ 25 V47000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
230W（Tc）380W（Tc）500W（Tc）543W（Tc）625W（Tc）660W（Tc）830W（Tc）1670W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
ISOPLUS247™TO-247 [B]TO-247-3TO-247AD（IXFH）TO-264AA（IXFK）TO-268AA
封装/外壳
TO-247-3TO-264-3，TO-264AATO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
显示
/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 HiP
STW12NK90Z
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
STMicroelectronics
421
现货
1 : ¥49.42000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
900 V
11A（Tc）
10V
880 毫欧 @ 5.5A，10V
4.5V @ 100µA
152 nC @ 10 V
±30V
3500 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247_IXFH
IXFH12N90P
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Littelfuse Inc.
1,149
现货
900
工厂
1 : ¥56.40000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
900 V
12A（Tc）
10V
900 毫欧 @ 6A，10V
6.5V @ 1mA
56 nC @ 10 V
±30V
3080 pF @ 25 V
-
380W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AD（IXFH）
TO-247-3
TO-247B
APT13F120B
MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
Microchip Technology
375
现货
1 : ¥87.11000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
14A（Tc）
10V
1.4 欧姆 @ 7A，10V
5V @ 1mA
145 nC @ 10 V
±30V
4765 pF @ 25 V
-
625W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247 [B]
TO-247-3
TO-268
IXFT24N90P
MOSFET N-CH 900V 24A TO268
Littelfuse Inc.
140
现货
1 : ¥97.12000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
900 V
24A（Tc）
10V
420 毫欧 @ 12A，10V
6.5V @ 1mA
130 nC @ 10 V
±30V
7200 pF @ 25 V
-
660W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
TO-247-ISOPLUS-EP-(R)
IXFR24N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
Littelfuse Inc.
67
现货
1 : ¥180.86000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
18A（Tc）
10V
490 毫欧 @ 12A，10V
6.5V @ 4mA
140 nC @ 10 V
±30V
7200 pF @ 25 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
ISOPLUS247™
TO-247-3
TO-247-3-PKG-Series
APT14F100B
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Microchip Technology
75
现货
1 : ¥64.28000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
14A（Tc）
10V
980 毫欧 @ 7A，10V
5V @ 1mA
120 nC @ 10 V
±30V
3965 pF @ 25 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247 [B]
TO-247-3
TO-247-3-PKG-Series
APT1001RBVRG
MOSFET N-CH 1000V 11A TO247
Microchip Technology
67
现货
1 : ¥115.68000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
11A（Tc）
-
1 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 1mA
225 nC @ 10 V
-
3660 pF @ 25 V
-
-
-
通孔
TO-247 [B]
TO-247-3
TO-247-3-PKG-Series
APT18M100B
MOSFET N-CH 1000V 18A TO247
Microchip Technology
21
现货
1 : ¥78.16000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
18A（Tc）
10V
700 毫欧 @ 9A，10V
5V @ 1mA
150 nC @ 10 V
±30V
4845 pF @ 25 V
-
625W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247 [B]
TO-247-3
TO-247_IXFH
IXFH15N100P
MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥97.86000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
15A（Tc）
10V
760 毫欧 @ 500mA，10V
6.5V @ 1mA
97 nC @ 10 V
±30V
5140 pF @ 25 V
-
543W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AD（IXFH）
TO-247-3
TO-264
IXFK48N60P
MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
300 : ¥91.67670
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
48A（Tc）
10V
135 毫欧 @ 500mA，10V
5V @ 8mA
150 nC @ 10 V
±30V
8860 pF @ 25 V
-
830W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-264AA（IXFK）
TO-264-3，TO-264AA
TO-264
IXFK420N10T
MOSFET N-CH 100V 420A TO264AA
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥165.43000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
420A（Tc）
10V
2.6 毫欧 @ 60A，10V
5V @ 8mA
670 nC @ 10 V
±20V
47000 pF @ 25 V
-
1670W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-264AA（IXFK）
TO-264-3，TO-264AA
TO-247-3-PKG-Series
APT14M100B
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Microchip Technology
0
现货
查看交期
80 : ¥61.57350
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
14A（Tc）
10V
900 毫欧 @ 7A，10V
5V @ 1mA
120 nC @ 10 V
±30V
3965 pF @ 25 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247 [B]
TO-247-3
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。