单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Tc）12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 6A，10V54 毫欧 @ 4.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V28 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta），2.8W（Tc）3.5W（Ta），19.2W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6SC-70-6
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363PowerPAK® SC-70-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-70-6
SI1443EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Vishay Siliconix
38,120
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.14196
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Tc）
10V
54 毫欧 @ 4.3A，10V
1.5V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±12V
-
-
1.6W（Ta），2.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
PowerPak SC-70-6 Single
SIA432DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
3,154
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.62189
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 15 V
-
3.5W（Ta），19.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。