单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Goford SemiconductorMicro Commercial Co
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）300mA12A（Tc）195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V2.5V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 毫欧 @ 20A，10V44 毫欧 @ 12A，10V3 欧姆 @ 500mA，10V8 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.45V @ 250µA1.5V @ 100µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.2 nC @ 10 V21 nC @ 10 V186 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13 pF @ 5 V28 pF @ 30 V1125 pF @ 20 V15870 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）270mW2.5W（Ta），50W（Tc）294W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-323SOT-723TO-252（DPAK）TO-263
封装/外壳
SC-70，SOT-323SOT-723TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
338,990
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.60091
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Tc）
4.5V，10V
44 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1125 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT 723
MC3541A-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Micro Commercial Co
23,414
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.27028
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
300mA
2.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.45V @ 250µA
1.2 nC @ 10 V
±20V
28 pF @ 30 V
-
270mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
SOT 323
2SK3018-TP
MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Micro Commercial Co
46,057
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60971
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V
8 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13 pF @ 5 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
GC11N65M
G080P06M
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Goford Semiconductor
770
现货
1 : ¥15.52000
剪切带（CT）
800 : ¥8.68783
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
195A（Tc）
10V
7.5 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
186 nC @ 10 V
±20V
15870 pF @ 30 V
-
294W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。