单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-HEXFET®MDmesh™ DM2SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
Digi-Key 停止提供在售
漏源电压（Vdss）
20 V200 V600 V1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Tc）6.7A（Tc）17A（Tc）66A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 4A，4.5V42 毫欧 @ 33A，10V165 毫欧 @ 10A，10V6 欧姆 @ 1.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 250µA4.5V @ 50µA5V @ 250µA5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4 nC @ 4.5 V18 nC @ 10 V41 nC @ 10 V121 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
600 pF @ 10 V601 pF @ 25 V910 pF @ 25 V5508 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
1.56W（Tc）3W（Ta），140W（Tc）90W（Tc）446W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKSOT-23TO-247-3TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
125,359
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10561
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.7A（Tc）
1.8V，4.5V
25 毫欧 @ 4A，4.5V
800mV @ 250µA
4 nC @ 4.5 V
±10V
600 pF @ 10 V
-
1.56W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IRFR15N20DTRPBF
MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Infineon Technologies
5,452
现货
1 : ¥11.17000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.63152
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
17A（Tc）
10V
165 毫欧 @ 10A，10V
5.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±30V
910 pF @ 25 V
-
3W（Ta），140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD3NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
STMicroelectronics
7,924
现货
1 : ¥19.46000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.77628
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
2.5A（Tc）
10V
6 欧姆 @ 1.25A，10V
4.5V @ 50µA
18 nC @ 10 V
±30V
601 pF @ 25 V
-
90W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-247-3 HiP
STW70N60DM2
N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 6
STMicroelectronics
0
现货
30 : ¥72.89767
管件
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
66A（Tc）
10V
42 毫欧 @ 33A，10V
5V @ 250µA
121 nC @ 10 V
±25V
5508 pF @ 100 V
-
446W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。