单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
25 V30 V40 V75 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.1A（Ta）8.5A（Ta）11A（Ta），67A（Tc）11.6A（Ta）12A（Ta），40A（Tc）12A（Tc）28A（Tc）35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 30A，10V6 毫欧 @ 20A，10V7.6 毫欧 @ 16.2A，10V10 毫欧 @ 11.6A，10V11 毫欧 @ 15A，10V21 毫欧 @ 10A，10V24 毫欧 @ 7.8A，10V66 毫欧 @ 4.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.1 nC @ 10 V12 nC @ 10 V13.2 nC @ 10 V25 nC @ 10 V30 nC @ 10 V36 nC @ 10 V40 nC @ 10 V100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
435 pF @ 15 V670 pF @ 12 V697 pF @ 15 V1235 pF @ 15 V1290 pF @ 25 V1530 pF @ 20 V2900 pF @ 35 V3366 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
810mW（Ta），31W（Tc）1W（Ta）2.1W（Ta），26W（Tc）2.5W（Ta）3.2W（Ta），15.6W（Tc）3.8W（Ta），52W（Tc）5.4W（Ta），96W（Tc）
供应商器件封装
8-SOIC8-WDFN（3.3x3.3）PG-TSDSON-8-FLPOWERDI3333-8PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
显示
/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SIS412DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
54,417
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 7.8A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），15.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SIS434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
18,357
现货
1 : ¥7.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.16918
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
35A（Tc）
4.5V，10V
7.6 毫欧 @ 16.2A，10V
2.2V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1530 pF @ 20 V
-
3.8W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-SOIC
FDS2582
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
onsemi
5,649
现货
1 : ¥10.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.32929
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
4.1A（Ta）
6V，10V
66 毫欧 @ 4.1A，10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PowerPAK SO-8
SI7148DP-T1-E3
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
15,662
现货
1 : ¥19.29000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.70899
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
28A（Tc）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 35 V
-
5.4W（Ta），96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TSDSON-8
BSZ060NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Infineon Technologies
46,874
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.06887
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
12A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 12 V
-
2.1W（Ta），26W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-SOIC
FDS8880
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
onsemi
19,919
现货
7,500
工厂
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.49670
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11.6A（Ta）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 11.6A，10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1235 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-WDFN
NTTFS4C06NTAG
MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
onsemi
1,462
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.12569
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta），67A（Tc）
4.5V，10V
4.2 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
3366 pF @ 15 V
-
810mW（Ta），31W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
PowerDI3333-8
DMN3018SFG-13
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
14,305
现货
12,000
工厂
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.09420
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.5A（Ta）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 10A，10V
2.1V @ 250µA
13.2 nC @ 10 V
±25V
697 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。