单 FET,MOSFET
结果 : 2
制造商
系列
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
Vgs(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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1,002 现货 | 1 : ¥153.03000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 600 V | 101A(Tc) | 10V | 18 毫欧 @ 58.2A,10V | 4.5V @ 2.91mA | 251 nC @ 10 V | ±20V | 9901 pF @ 400 V | - | 416W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | PG-TO247-3 | TO-247-3 | |||
43 现货 | 1 : ¥236.44000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 37A(Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C ~ 175°C(TJ) | 底座安装 | SOT-227(ISOTOP®) | SOT-227-4,miniBLOC |
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