单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-CoolSiC™HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA(Ta)2.3A(Ta)3A(Tc)5.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,2.5V4.5V,10V12V,15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
57 毫欧 @ 2.3A,2.5V175 毫欧 @ 2A,10V1000毫欧 @ 1A,15V1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
750mV @ 11µA2V @ 250µA2.3V @ 250µA5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.7 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 2.5 V5 nC @ 12 V6.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V+20V,-10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
24.5 pF @ 20 V205 pF @ 25 V275 pF @ 1000 V529 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
300mW(Tj)500mW(Ta)3W(Tc)68W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-SOT23PG-TO263-7-13SC-70-6SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-70-6
SQ1431EH-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
Vishay Siliconix
17,748
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.59853
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3A(Tc)
4.5V,10V
175 毫欧 @ 2A,10V
2V @ 250µA
6.5 nC @ 4.5 V
±20V
205 pF @ 25 V
-
3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
PG-TO263-7
IMBF170R1K0M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Infineon Technologies
1,540
现货
1 : ¥39.32000
剪切带(CT)
1,000 : ¥20.34800
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
5.2A(Tc)
12V,15V
1000毫欧 @ 1A,15V
5.7V @ 1.1mA
5 nC @ 12 V
+20V,-10V
275 pF @ 1000 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-13
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
SOT 23-3
2V7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
14,596
现货
1 : ¥2.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.43247
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
320mA(Ta)
4.5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS806NEH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
61,061
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71245
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.3A(Ta)
1.8V,2.5V
57 毫欧 @ 2.3A,2.5V
750mV @ 11µA
1.7 nC @ 2.5 V
±8V
529 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。