单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
SIPMOS®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
330mA（Ta）40A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
29 毫欧 @ 18A，10V2 欧姆 @ 330mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 80µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.57 nC @ 10 V57 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
78 pF @ 25 V2030 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TA）
供应商器件封装
PG-SOT23PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
110,992
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78379
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
330mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 330mA，10V
2V @ 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SO-8L
SQJ443EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,016
现货
1 : ¥11.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.60209
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
4.5V，10V
29 毫欧 @ 18A，10V
2.5V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±20V
2030 pF @ 20 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。