单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.3A（Ta）4A（Ta）6A（Ta）9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 9A，4.5V25 毫欧 @ 8.2A，4.5V31 毫欧 @ 4A，4.5V160 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 4.5 V8.5 nC @ 4.5 V15.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
162 pF @ 10 V667 pF @ 10 V865 pF @ 10 V1357 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）800mW（Ta）2.1W（Ta）
供应商器件封装
MicroFet 1.6x1.6 薄型SOT-23-3
封装/外壳
6-PowerUFDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
NDS331N
MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
145,297
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20594
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.3A（Ta）
2.7V，4.5V
160 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
162 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2040U-7
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
5,041
现货
333,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69272
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
2.5V，4.5V
25 毫欧 @ 8.2A，4.5V
1.2V @ 250µA
7.5 nC @ 4.5 V
±12V
667 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP1045U-7
MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Diodes Incorporated
9,562
现货
1,728,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75610
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4A（Ta）
1.8V，4.5V
31 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
15.8 nC @ 4.5 V
±8V
1357 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MicroFet 1.6x1.6 Thin
FDME820NZT
MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET
onsemi
11,695
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.94602
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
9A（Ta）
1.8V，4.5V
18 毫欧 @ 9A，4.5V
1V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±12V
865 pF @ 10 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
MicroFet 1.6x1.6 薄型
6-PowerUFDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。