单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
CoolMOS™π-MOSVII
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Tc）12A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
550 毫欧 @ 6A，10V2.7 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 120µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16 nC @ 10 V38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
290 pF @ 100 V1800 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
30.5W（Tc）45W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO220-3-31TO-220SIS
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
95
现货
1 : ¥29.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
12A（Ta）
10V
550 毫欧 @ 6A，10V
4V @ 1mA
38 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
TO-220AB Full Pack
SPA02N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 2A TO220-FP
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
2A（Tc）
10V
2.7 欧姆 @ 1.2A，10V
3.9V @ 120µA
16 nC @ 10 V
±20V
290 pF @ 100 V
-
30.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3-31
TO-220-3 整包
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。