单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedLittelfuse Inc.Microchip TechnologySTMicroelectronics
系列
-STripFET™ F6TrenchP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Tj）3.8A（Ta）60A（Tc）140A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 70A，10V14 毫欧 @ 6.5A，10V62 毫欧 @ 4.2A，4.5V4 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1V @ 250µA（最小）2.4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.3 nC @ 4.5 V34 nC @ 4.5 V400 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V487 pF @ 20 V3525 pF @ 25 V31400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
360mW（Tc）800mW（Ta）100W（Tc）568W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerFlat™（5x6）SOT-23-3TO-268AA
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP2120U-7
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
414,601
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54488
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.8A（Ta）
1.8V，4.5V
62 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1V @ 250µA
6.3 nC @ 4.5 V
±8V
487 pF @ 20 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
VN2110K1-G
MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
Microchip Technology
1,579
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.02280
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200mA（Tj）
5V，10V
4 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
360mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerFlat™
STL60P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 60A POWERFLAT
STMicroelectronics
1,867
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.11367
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
60A（Tc）
4.5V，10V
14 毫欧 @ 6.5A，10V
1V @ 250µA（最小）
34 nC @ 4.5 V
±20V
3525 pF @ 25 V
-
100W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
TO-268
IXTT140P10T
MOSFET P-CH 100V 140A TO268
Littelfuse Inc.
360
现货
1 : ¥163.38000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
140A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 70A，10V
4V @ 250µA
400 nC @ 10 V
±15V
31400 pF @ 25 V
-
568W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。