单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
CoolMOS™ P6HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V55 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22.4A（Tc）50A（Tc）74A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 20A，10V20 毫欧 @ 38A，10V180 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 750µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
44 nC @ 10 V117 nC @ 10 V180 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2080 pF @ 100 V3400 pF @ 25 V4750 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
5.4W（Ta），83W（Tc）176W（Tc）200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-VSON-4PowerPAK® SO-8TO-220AB
封装/外壳
4-PowerTSFNPowerPAK® SO-8TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF4905PBF
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Infineon Technologies
39,087
现货
1 : ¥17.40000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
74A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 38A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PowerPAK SO-8
SIR414DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,163
现货
1 : ¥12.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.78962
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Tc）
4.5V，10V
2.8 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
117 nC @ 10 V
±20V
4750 pF @ 20 V
-
5.4W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PG-VSON-4
IPL60R180P6AUMA1
MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
Infineon Technologies
6,000
现货
1 : ¥28.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥13.98846
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
22.4A（Tc）
10V
180 毫欧 @ 9A，10V
4.5V @ 750µA
44 nC @ 10 V
±20V
2080 pF @ 100 V
-
176W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。