单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
OptiMOS™STripFET™ III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
7V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.55 毫欧 @ 50A，10V2.5 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 50µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V150 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3470 pF @ 25 V7400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
100W（Tc）330W（Tc）
供应商器件封装
D2PAKPG-TDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6,482
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.83352
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
7V，10V
1.55 毫欧 @ 50A，10V
3V @ 50µA
55 nC @ 10 V
±20V
3470 pF @ 25 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
D²PAK
STB270N4F3
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
STMicroelectronics
3,008
现货
1 : ¥36.53000
剪切带（CT）
1,000 : ¥18.87902
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
160A（Tc）
10V
2.5 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
7400 pF @ 25 V
-
330W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。