单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesonsemiQorvoRohm Semiconductor
系列
-CoolSIC™ M1HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（共源共栅 SiCJFET）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
40 V100 V650 V750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.2A（Ta）47A（Tc）104A（Tc）118A（Tc）180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V12V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 75A，10V14.2 毫欧 @ 60A，12V22.1 毫欧 @ 47A，18V27 毫欧 @ 8.2A，10V34 毫欧 @ 38.3A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA4V @ 250µA5.5V @ 10mA5.6V @ 23.5mA5.7V @ 11mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 5 V62 nC @ 18 V75 nC @ 15 V172 nC @ 18 V210 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V+22V，-4V+23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1872 pF @ 20 V2131 pF @ 400 V2884 pF @ 500 V3245 pF @ 400 V9620 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）189W（Tc）357W（Tc）370W（Tc）427W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICD2PAK-7PG-TO247-3-41TO-247ACTO-247N
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-247-3TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
FDS4685
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
onsemi
20,330
现货
12,500
工厂
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.65248
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8.2A（Ta）
4.5V，10V
27 毫欧 @ 8.2A，10V
3V @ 250µA
27 nC @ 5 V
±20V
1872 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-247-3 AC EP
IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Infineon Technologies
240
现货
1 : ¥118.63000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
47A（Tc）
18V
34 毫欧 @ 38.3A，18V
5.7V @ 11mA
62 nC @ 18 V
+23V，-5V
2131 pF @ 400 V
-
189W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247N
SCT3017ALHRC11
SICFET N-CH 650V 118A TO247N
Rohm Semiconductor
1,100
现货
1 : ¥827.55000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
118A（Tc）
18V
22.1 毫欧 @ 47A，18V
5.6V @ 23.5mA
172 nC @ 18 V
+22V，-4V
2884 pF @ 500 V
-
427W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
181
现货
1 : ¥40.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
10V
4.5 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
9620 pF @ 50 V
-
370W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
UF3C120080B7S
UJ4SC075011B7S
750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Qorvo
0
现货
查看交期
1 : ¥241.37000
剪切带（CT）
800 : ¥154.75481
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
750 V
104A（Tc）
12V
14.2 毫欧 @ 60A，12V
5.5V @ 10mA
75 nC @ 15 V
±20V
3245 pF @ 400 V
-
357W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。