单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.
系列
CoolMOS™ P7HiPerFET™, Trench
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
200 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Tc）220A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 毫欧 @ 60A，10V750 毫欧 @ 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 140µA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V378 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
460 pF @ 500 V28000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
51W（Tc）1090W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3SOT-227B
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOCTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IXYK1x0xNxxxx
IXFN230N20T
MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
Littelfuse Inc.
920
现货
1 : ¥300.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
220A（Tc）
10V
7.5 毫欧 @ 60A，10V
5V @ 8mA
378 nC @ 10 V
±20V
28000 pF @ 25 V
-
1090W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4，miniBLOC
TO252-3
IPD80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
Infineon Technologies
4,144
现货
1 : ¥12.15000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.03898
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
7A（Tc）
10V
750 毫欧 @ 2.7A，10V
3.5V @ 140µA
17 nC @ 10 V
±20V
460 pF @ 500 V
-
51W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。