单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
TrenchFET®U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.2A（Ta）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15 毫欧 @ 17A，10V28 毫欧 @ 3A，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13.6 nC @ 4 V155 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1010 pF @ 10 V6120 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
TO-263（D2PAK）UFM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4,362
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10934
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.5V，4V
28 毫欧 @ 3A，4V
1V @ 1mA
13.6 nC @ 4 V
±10V
1010 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
TO-263 (D2Pak)
SQM50P06-15L_GE3
MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Vishay Siliconix
1,120
现货
1 : ¥20.61000
剪切带（CT）
800 : ¥11.52266
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 17A，10V
2.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
6120 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。