单 FET,MOSFET
结果 : 6
包装
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
功率耗散(最大值)
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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37,114 现货 | 1 : ¥4.10000 剪切带(CT) 3,000 : ¥3.03763 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 500 V | 13mA(Tj) | 0V | 1000 欧姆 @ 500µA,0V | - | ±20V | 10 pF @ 25 V | 耗尽模式 | 360mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | ||
6,399 现货 | 1 : ¥4.93000 袋 | - | 袋 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 500 V | 30mA(Tj) | 0V | 1000 欧姆 @ 500µA,0V | - | ±20V | 10 pF @ 25 V | 耗尽模式 | 740mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) | ||
38,741 现货 | 1 : ¥6.49000 剪切带(CT) 2,000 : ¥4.92589 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 500 V | 30mA(Tj) | 0V | 1000 欧姆 @ 500µA,0V | - | ±20V | 10 pF @ 25 V | 耗尽模式 | 1.6W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | SOT-89-3 | TO-243AA | ||
15,897 现货 | 1 : ¥4.35000 剪切带(CT) 3,000 : ¥3.59179 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 500 V | 13mA(Tj) | 0V | 1000 欧姆 @ 500µA,0V | - | ±20V | 10 pF @ 25 V | 耗尽模式 | 360mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | SOT-23(TO-236AB) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | ||
1,940 现货 | 1 : ¥5.58000 剪切带(CT) 2,000 : ¥4.26910 带盒(TB) | - | 剪切带(CT) 带盒(TB) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 500 V | 30mA(Tj) | 0V | 1000 欧姆 @ 500µA,0V | - | ±20V | 10 pF @ 25 V | 耗尽模式 | 740mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) | ||
1,833 现货 | 1 : ¥5.58000 剪切带(CT) 2,000 : ¥4.26910 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 500 V | 30mA(Tj) | 0V | 1000 欧姆 @ 500µA,0V | - | ±20V | 10 pF @ 25 V | 耗尽模式 | 740mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
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