单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Microchip Technologyonsemi
包装
散装袋
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）230mA（Tj）1.2A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
350 毫欧 @ 4A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 10mA2.5V @ 1mA3V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V60 pF @ 25 V500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）400mW（Ta），1W（Tc）740mW（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
onsemi
43,156
现货
40,000
工厂
1 : ¥4.02000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN2222LL-G
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Microchip Technology
9,807
现货
1 : ¥4.43000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
230mA（Tj）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
±30V
60 pF @ 25 V
-
400mW（Ta），1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN2210N3-G
MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
Microchip Technology
3,474
现货
1 : ¥20.44000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.2A（Tj）
5V，10V
350 毫欧 @ 4A，10V
2.4V @ 10mA
±20V
500 pF @ 25 V
-
740mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。