单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）40A（Tc）46A（Tc）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.67 毫欧 @ 30A，10V6.7 毫欧 @ 23A，10V25 毫欧 @ 40A，10V140 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA2.5V @ 300µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.7 nC @ 10 V26 nC @ 10 V60 nC @ 10 V195 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1167 pF @ 25 V1990 pF @ 30 V2400 pF @ 25 V10930 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta），136W（Tc）42W（Tc）66W（Tc）150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
供应商器件封装
DPAKTO-252-3TO-252AATO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252-2
DMN10H170SK3Q-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Diodes Incorporated
33,855
现货
2,025,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.78866
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12A（Tc）
4.5V，10V
140 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
1167 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252
SUD40N10-25-E3
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Vishay Siliconix
1,632
现货
1 : ¥33.82000
剪切带（CT）
2,000 : ¥11.49332
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
10V
25 毫欧 @ 40A，10V
3V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263 (D2Pak)
SUM40012EL-GE3
MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Vishay Siliconix
46
现货
1 : ¥28.32000
剪切带（CT）
800 : ¥9.94695
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
150A（Tc）
4.5V，10V
1.67 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
195 nC @ 10 V
±20V
10930 pF @ 20 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
0
现货
查看交期
1 : ¥11.82000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.16171
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
46A（Tc）
4.5V，10V
6.7 毫欧 @ 23A，10V
2.5V @ 300µA
26 nC @ 10 V
±20V
1990 pF @ 30 V
-
66W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。