单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIIπ-MOSV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）115mA（Ta）260mA（Ta）2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4V4V，10V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
117 毫欧 @ 1A，10V2.5 欧姆 @ 240mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V20 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1µA2.5V @ 250µA2.6V @ 1mA
Vgs（最大值）
±7V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7 pF @ 3 V26.7 pF @ 25 V50 pF @ 25 V280 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）300mW（Tj）370mW（Ta）500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）UFMUSM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
366,774
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
437,751
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32434
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260mA（Ta）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 240mA，10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
31,391
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42428
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
20 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 1µA
-
±7V
7 pF @ 3 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
USM
SC-70，SOT-323
16,773
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.89044
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2A（Ta）
4V，10V
117 毫欧 @ 1A，10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
280 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
150°C
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。