单 FET,MOSFET

结果 : 20
制造商
Fairchild SemiconductorInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemi
系列
HEXFET®PowerTrench®QFET®StrongIRFET™TrenchUltraFET™
包装
散装管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压(Vdss)
60 V75 V100 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
42A(Tc)50A(Tc)56A(Tc)65A(Tc)78A(Tc)80A(Tc)94A(Tc)105A(Tc)120A(Tc)130A(Tc)158A(Tc)160A(Tc)171A(Tc)180A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3 毫欧 @ 75A,10V4.2 毫欧 @ 75A,10V4.5 毫欧 @ 100A,10V4.5 毫欧 @ 125A,10V4.5 毫欧 @ 75A,10V5.9 毫欧 @ 103A,10V5.9 毫欧 @ 120A,10V6.4 毫欧 @ 25A,10V7 毫欧 @ 25A,10V9 毫欧 @ 46A,10V9.7 毫欧 @ 81A,10V10 毫欧 @ 52.5A,10V15.5 毫欧 @ 33A,10V23 毫欧 @ 56A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 100µA4V @ 150µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA4.6V @ 264µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
84 nC @ 10 V92 nC @ 10 V98 nC @ 10 V100 nC @ 10 V110 nC @ 10 V120 nC @ 10 V130 nC @ 20 V132 nC @ 10 V151 nC @ 10 V170 nC @ 10 V191 nC @ 10 V210 nC @ 10 V227 nC @ 10 V234 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1900 pF @ 25 V2000 pF @ 25 V3070 pF @ 50 V4057 pF @ 25 V4460 pF @ 25 V4520 pF @ 50 V4600 pF @ 25 V6000 pF @ 75 V6040 pF @ 25 V6150 pF @ 25 V6540 pF @ 50 V6600 pF @ 25 V6900 pF @ 25 V9445 pF @ 75 V
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),341W(Tc)140W(Tc)160W(Tc)200W(Tc)220W(Tc)280W(Tc)300W(Tc)310W(Tc)330W(Tc)370W(Tc)429W(Tc)430W(Tc)470W(Tc)480W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TO247-3TO-220ABTO-247-3TO-247(IXTH)TO-247ACTO-247AD
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
20结果

显示
/ 20
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IRFP3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Infineon Technologies
209
现货
1 : ¥26.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
120A(Tc)
10V
4.2 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 150µA
120 nC @ 10 V
±20V
4520 pF @ 50 V
-
220W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-220AB PKG
IRFB4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Infineon Technologies
4,555
现货
1 : ¥26.68000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
65A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 46A,10V
5V @ 250µA
98 nC @ 10 V
±30V
4600 pF @ 25 V
-
330W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFP260NPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Infineon Technologies
158
现货
1 : ¥33.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
50A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 28A,10V
4V @ 250µA
234 nC @ 10 V
±20V
4057 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO247AC
Infineon Technologies
3,457
现货
1 : ¥34.97000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
65A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 46A,10V
5V @ 250µA
98 nC @ 10 V
±30V
4600 pF @ 25 V
-
330W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
181
现货
1 : ¥40.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
4.5 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
9620 pF @ 50 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP2907PBF
MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Infineon Technologies
2,795
现货
1 : ¥44.83000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
209A(Tc)
10V
4.5 毫欧 @ 125A,10V
4V @ 250µA
620 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 25 V
-
470W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP90N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC
Infineon Technologies
1,160
现货
1 : ¥49.59000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
94A(Tc)
10V
23 毫欧 @ 56A,10V
5V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±30V
6040 pF @ 25 V
-
580W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP4668PBF
MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Infineon Technologies
11,880
现货
1 : ¥54.10000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
130A(Tc)
10V
9.7 毫欧 @ 81A,10V
5V @ 250µA
241 nC @ 10 V
±30V
10720 pF @ 50 V
-
520W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AD EP
FDH055N15A
MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3
onsemi
7,326
现货
1 : ¥59.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
158A(Tc)
10V
5.9 毫欧 @ 120A,10V
4V @ 250µA
92 nC @ 10 V
±20V
9445 pF @ 75 V
-
429W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP4568PBF
MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC
Infineon Technologies
1,354
现货
1 : ¥62.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
171A(Tc)
10V
5.9 毫欧 @ 103A,10V
5V @ 250µA
227 nC @ 10 V
±30V
10470 pF @ 50 V
-
517W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-220AB PKG
IRFB3607PBF
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Infineon Technologies
2,478
现货
1 : ¥6.90000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
80A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 46A,10V
4V @ 100µA
84 nC @ 10 V
±20V
3070 pF @ 50 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFP150NPBF
MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
Infineon Technologies
1,592
现货
1 : ¥20.11000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
42A(Tc)
10V
36 毫欧 @ 23A,10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
160W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP4321PBF
MOSFET N-CH 150V 78A TO247AC
Infineon Technologies
6,375
现货
1 : ¥23.32000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
78A(Tc)
10V
15.5 毫欧 @ 33A,10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±30V
4460 pF @ 25 V
-
310W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Infineon Technologies
6,832
现货
1 : ¥28.65000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
120A(Tc)
10V
3 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 150µA
170 nC @ 10 V
±20V
6540 pF @ 50 V
-
280W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
IRF150P220AKMA1
IRF150P221AKMA1
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Infineon Technologies
422
现货
1 : ¥68.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
186A(Tc)
10V
4.5 毫欧 @ 100A,10V
4.6V @ 264µA
100 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 75 V
-
3.8W(Ta),341W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-3 AB EP
HUF75639G3
MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
onsemi
193
现货
1 : ¥27.58000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
56A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 56A,10V
4V @ 250µA
130 nC @ 20 V
±20V
2000 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH180N10T
MOSFET N-CH 100V 180A TO247
Littelfuse Inc.
294
现货
1,170
工厂
1 : ¥58.78000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
6.4 毫欧 @ 25A,10V
4.5V @ 250µA
151 nC @ 10 V
±30V
6900 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
177
现货
1 : ¥61.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
171A(Tc)
10V
5.9 毫欧 @ 103A,10V
5V @ 250µA
227 nC @ 10 V
±30V
10470 pF @ 50 V
-
517W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
IFEINFAIGW50N65F5XKSA1
FQH90N10V2
N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
370
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
105A(Tc)
10V
10 毫欧 @ 52.5A,10V
4V @ 250µA
191 nC @ 10 V
±30V
6150 pF @ 25 V
-
330W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247AD
TO-247-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH160N10T
MOSFET N-CH 100V 160A TO247
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥67.65000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
160A(Tc)
10V
7 毫欧 @ 25A,10V
4.5V @ 250µA
132 nC @ 10 V
±30V
6600 pF @ 25 V
-
430W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
显示
/ 20

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。