单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）1.5A（Ta）28A（Tc）60A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 10A，10V9.3 毫欧 @ 30A，10V25 毫欧 @ 10.2A，10V350 毫欧 @ 900mA，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.1 nC @ 10 V85 nC @ 10 V160 nC @ 10 V240 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V206 pF @ 30 V4700 pF @ 40 V5100 pF @ 25 V9200 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）720mW（Ta）2.4W（Ta），250W（Tc）5.2W（Ta），83.3W（Tc）68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-220AB
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
371,715
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52959
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SO-8L
SQJA62EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,276
现货
1 : ¥10.51000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.33270
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
4.5V，10V
4.5 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
85 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-220AB
SUP90P06-09L-E3
MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
Vishay Siliconix
1,476
现货
1 : ¥43.92000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
4.5V，10V
9.3 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 25 V
-
2.4W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
SOT-23-3
DMP6350S-7
MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
Diodes Incorporated
54,853
现货
1,431,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16894
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
350 毫欧 @ 900mA，10V
3V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±20V
206 pF @ 30 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SI7469DP-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.48427
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 10.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
5.2W（Ta），83.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。