单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.6A（Ta）28A（Tc）32A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 10.2A，10V25 毫欧 @ 5A，10V33 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
53.1 nC @ 10 V150 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2569 pF @ 30 V4500 pF @ 25 V4700 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
1.2W（Ta）5.2W（Ta），83.3W（Tc）68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOPowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8 SO
DMP6023LSS-13
MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
Diodes Incorporated
12,915
现货
37,500
工厂
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.52803
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.6A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PowerPak SO-8L
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
38,967
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.01919
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
32A（Tc）
4.5V，10V
33 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7469DP-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.48427
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 10.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
5.2W（Ta），83.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。