单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedSTMicroelectronics
系列
-STripFET™ F6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Ta），22A（Tc）8A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20.5 毫欧 @ 4A，10V29mOhm @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 4.5 V34 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1626 pF @ 20 V2850 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.2W（Ta）2.9W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
POWERDI3333-8PowerFlat™（3.3x3.3）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI3333-8
DMPH4029LFGQ-7
MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Diodes Incorporated
1,811
现货
194,000
工厂
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.13595
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8A（Ta），22A（Tc）
4.5V，10V
29mOhm @ 3A，10V
3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1626 pF @ 20 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8-PowerFlat
STL8P4LLF6
MOSFET P-CH 40V POWERFLAT
STMicroelectronics
4,904
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.65585
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8A（Tj）
4.5V，10V
20.5 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 4.5 V
±20V
2850 pF @ 25 V
-
2.9W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerFlat™（3.3x3.3）
8-PowerVDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。